Intel：10nm工艺领先三星/台积电好多年，18年代工ARM芯片

据海外媒体报道，英特尔(Intel)日前宣布将推出10纳米芯片，搭载该芯片的处理器预计2017年推出，此消息一出，也等于驳斥外界认为摩尔定律发展已放缓的说法。评论指出，虽然其他厂商也推出10纳米技术，但各家标准并未统一，而且英特尔在10纳米技术仍维持数年的领先优势。

据IEEE Spectrum报导，2017年英特尔将推出的新处理器采用该公司最新10纳米芯片制程技术。该公司也指出，届时采该制程生产的电晶体成本将比以往还低，代表摩尔定律精神不仅将延续，也驳斥电晶体制造成本已来到最低的说法。

展望来年，英特尔并计划在电晶体设计上继续精进，而且首度让自家制程技术最大化以便符合其他公司需求，可利用英特尔设备生产采安谋(ARM)架构的芯片。

英特尔院士Mark Bohr指出，虽然目前芯片制程世代或节点名称说法与芯片上的功能多有脱勾，但该公司10纳米世代所能达到的密度，将比目前14纳米芯片甚至其他业者的10纳米产品还要高。

该公司日前也公布多项新世代制程数据，包括负责开关的电晶体闸极长度以及闸极间距(gate pitch)都会更小，最小的闸极间距将由70纳米变成54纳米，执行标准逻辑功能的逻辑单元尺寸也会比目前采用14纳米技术的小46%。

Bohr也指出，这已是较往年更为大胆的微缩程度，也一反日前新芯片制程世代出现时间变慢的发展趋势。

英特尔指出，即使生产10纳米晶圆的成本会比14纳米高，但每颗电晶体生产成本会较低，而且在切换速度与功耗上都可获得提升。因此，Bohr表示，在尺寸与效率上改善后，将可望让服务器芯片增加更多核心以及在GPU增加执行单元。

过去英特尔每2年都会推出新的制程世代来升级电晶体，但在14纳米，该公司推出被称为半节点(deminode)世代，也就是在10纳米之前只针对14纳米做出改善，而且在10纳米后，预计在进展至下一个7纳米世代之前，也先推出2个半节点10nm+与10nm++。

目前三星电子(Samsung Electronics)与台积电也在生产10纳米芯片，2016年10月三星更宣布已率先量产，采用该芯片的装置预计在2017年初上市，GlobalFoundries则倾向在2018年开始一举进入7纳米。

对此，分析半导体产业发展的VLSI Research机构执行长Dan Hutcheson指出，目前各厂都在积极突破微缩的极限而且都取得进展，但彼此标准并未统一，若以10纳米产品比较，英特尔在特征尺寸上仍有多年领先优势。

除此之外，Hutcheson也指出，英特尔透过控制与一致化其自家制程而与其他厂商有所区隔，也帮助其在发展代工服务上具备优势。至于为其他公司代工芯片也是英特尔新作法之一，而且具备生产ARM处理器的能力后，对该公司来说更是重要。

英特尔也表示，首款10纳米芯片将优先在其处理器上采用，2018年再向其他厂商开放。