紫光700亿美元国内建造三大存储芯片厂，2018年量产3D NAND

闪存、内存市场这一年来遇到了好时机，来自中国厂商的需求使得存储芯片市场从降价变成了缺货涨价，直到今年Q1季度都会持续上涨。闪存涨价也让三星、SK Hynix、美光等公司过了好日子，三星去年Q3季度在Note 7上的损失在Q4季度就被闪存涨价弥补回来了。中国缺少NAND闪存自主生产能力是个大问题，好在紫光集团已经在布局了，将在武汉、南京、成都三地建设存储芯片厂，总投资700亿美元，2018年将量产国产3D NAND闪存。

紫光集团收购新芯公司之后，在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地已经不是新闻了，这两年来时常见诸媒体报道。Digitimes也报道称湖北武汉市（原文打错成了河北省）的工厂占地面积13公顷，近日已经开工，预计2018年正式量产3D NAND闪存。

不过武汉只是紫光存储芯片布局的一部分，2017年在四川成都、江苏南京还有两个大计划，投资超过460亿美元，早前我们报道过前联电CEO孙世伟加盟紫光担任副总，他负责的就是成都晶圆厂，投资超过1200亿人民币。

武汉的240亿美元加上成都、南京460亿美元的投资，紫光建设三大存储芯片基地的投资将超过700亿美元，人民币接近5000亿元，放眼全球也是大手笔投资了，以致于美国都在政府顾问报告中指出中国发展半导体产业将降低美国企业竞争力，甚至影响美国国家安全。

除了存储芯片之外，紫光集团还在寻求进入逻辑IC芯片制造领域，也就是说存储芯片针对的是三星、美光、东芝这些公司，而逻辑芯片制造则是针对Intel、TSMC、三星LSI等公司了。